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PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀，下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs)，結合使用 XPS(Al Ka X射線(xiàn))和 HAXPES(Cr Ka x射線(xiàn))對同一微觀(guān)特征區域進(jìn)行分析，可以對 QDs 進(jìn)行詳細的深度結構分析。

PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺設計高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀PHI nano TOF3+，先進(jìn)的多功能TOF-SIMS具有更強大的微區分析能力，更加出色的分析精度

PHI X射線(xiàn)光電子能譜儀 提供了一種全新的用戶(hù)體驗，儀器高性能、全自動(dòng)化、簡(jiǎn)單易操作。 操作界面可在同一個(gè)屏幕內設置常規和高級的多功能測試參數，同時(shí)保留諸如進(jìn)樣照片導航和 SXI 二次電子影像精細定位等功能。

C60-40 離子源系統 是目前性能較高的C60光束，具有300納米的光斑尺寸和高達1毫安的束流。從生物醫學(xué)應用到聚合物科學(xué)和冶金，C60-40都可以做到這一點(diǎn)。得益于與其他C60離子束相同的均勻濺射，但由于更高的束能量，C60-40具有難以置信的精細斑點(diǎn)和更高的蝕刻率，是一種用于廣泛應用的極其強大的分析工具。

lonoptika公司的C60-20 離子源系統是一種高性能的20kV離子束系統，用于高化學(xué)復雜性樣品的SIMS分析。C60-20是一種功能強大，成本效益高的分析離子束系統，可以較大限度地利用SIMS分析。

C60-20S 離子源系統雖然所有離子束都會(huì )濺射或蝕刻，但我們的一些系統的表面是專(zhuān)為高效和快速濺射而設計的。濺射光束有三個(gè)特點(diǎn)：高電流、大光斑尺寸和寬視場(chǎng)。這些特性的結合意味著(zhù)它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子，以?xún)?yōu)化蝕刻速率。

GCIB-10S 離子源系統是一種高性能10千伏氣體團簇離子束，用于快速、低損傷濺射和更高質(zhì)量的表面分析。GCIB 10S提供了大量有用的功能，包括實(shí)時(shí)集群大小測量和內置樣本電流成像系統，以幫助您充分利用實(shí)驗。

GCIB-40 離子源系統是一種40 kV氣體團簇離子束，產(chǎn)生團簇離子聚焦束，用于需要對分子離子敏感的分析應用。GCIB在較大程度地減少碎片和從表面去除完整分子方面具有單獨的的能力。在40千伏電壓下工作的GCIB 40提供了優(yōu)異的電離產(chǎn)率，進(jìn)一步增強了分子信號。